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IBM及其合作伙伴已开发出新的5nm测试芯片，其具有新的制造工艺的优点。包含约300亿个晶体管的新芯片是通过堆叠硅纳米片来创建的。它能够在设备上提供几乎两倍的电池存储，并显著提高性能。
IBM与研发联盟的合作伙伴一起开发了一种新的5nm芯片，与目前市场上可用的10nm芯片相比，在相同的功率下将性能提高了40%。
这一次，IBM并没有去用FinFET(鳍场效应)制造，而是堆叠硅纳米片作为晶体管的器件结构，被称为GAA(全包围栅极)晶体管。在5nm指甲尺寸的测试芯片装了300亿个晶体管。
他们使用的方法称为极紫外光刻(EUV)。两年前，他们使用相同的方法创建了一个具有200亿个晶体管的7nm测试节点。
除了设备尺寸缩小之外，这些仍然远未被商业化的芯片可以帮助我们为IoT设备实现更美好的未来，加速认知计算，增强基于云的应用，并且可能是移动设备电池输出的两倍。
根据IBM的说法，他们最新的进展，为具有高于基于FinFET性能的堆叠纳米芯片装置打开了方便之门，已经成功地证明了这种设备的可行性。
IBM指出，“使用EUV光刻技术，可以在单个制造处理器芯片设计中连续调整纳米片的宽度。这种可调性允许对特定电路的性能和功耗进行微调，这在今天的FinFET晶体管架构生产中是不可能的，这受到其载流鳍片高度的限制。”
IBM认为目前的FinFET技术对于创建5nm芯片而言效率低下。
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